Giáo trình oxy hóa nhiệt
Sự phụ thuộc vào định hướng tinh thể của đế Si . Là sự phụ thuộc của ks vào các mặt tinh thể: ks(111) > ks(100). Do mật độ bề mặt các nguyên từ Si khác nhau: tại mặt (100) là 7.1014 cm-2, tại (111) – 8. 7.1014 cm-2. Mật độ nguyên tử càng cao, số các liên kết có sẵn để tham gia phản ứng hóa học càng lớn. Sự khác biệt càng lớn, nếu chiều dày các lớp SiO2 càng nhỏ.
Thông tin chi tiết
- Tên file:
- Giáo trình oxy hóa nhiệt
- Phiên bản:
- N/A
- Tác giả:
- N/A
- Website hỗ trợ:
- N/A
- Thuộc chủ đề:
- Danh Mục » Các tài liệu khác
- Gửi lên:
- 30/08/2013 20:02
- Cập nhật:
- 30/08/2013 20:02
- Người gửi:
- mick492011
- Thông tin bản quyền:
- N/A
- Dung lượng:
- N/A
- Đã xem:
- 841
- Đã tải về:
-
0
- Đã thảo luận:
- 0
Tải về
Để tải về, bạn cần
đăng nhập với tư cách thành viên của site. Nếu chưa có tài khoản, bạn có thể đăng ký bằng cách click
vào đây
Đánh giá